12.1

集成電路關(guān)鍵裝備

（另行制定）

（另行制定）

12.2

光伏設(shè)備

12.2.1

超大尺寸超導(dǎo)磁場(chǎng)單晶硅爐

I

1、主爐室直徑：Φ1350；

2、拉制晶體直徑：12～18英寸；

3、裝料量：≥300kg；

4、熱場(chǎng)尺寸：30〞～32〞；

1、大尺寸熱場(chǎng)溫度控制穩(wěn)定性技術(shù)；

2、超導(dǎo)磁場(chǎng)引入技術(shù)；

3、智能控制技術(shù)。

12.2.2

噸級(jí)單晶硅鑄錠爐

I

1、單爐投料量：800kg～1200kg；

2、坩堝尺寸≥1050*1050*540mm；

3、可開方為≥36塊小方錠；

4、一、二、三類類單晶成品率70%以上；

1、先進(jìn)控制技術(shù)；

2、先進(jìn)的定向結(jié)晶控制工藝，對(duì)熱場(chǎng)溫度橫向均勻性控制及垂直梯度控制技術(shù)；

12.2.3

大容量多晶鑄錠爐

鑄錠尺寸：840×840×275（mm） ；

鑄錠時(shí)間：≤60小時(shí)；

冷態(tài)真空：≤0.5Pa。

熱場(chǎng)分控技術(shù)；

定向凝固技術(shù)。

12.2.3

硅片切割設(shè)備

I

太陽能電池硅片多線切割設(shè)備       技術(shù)指標(biāo)：
最大加工外形尺寸：156×156×500(mm)4根
方片: 210×210×500(mm)2根
直徑：φ160×500(mm)4根
使用線徑φ0.1mm~0.16mm

主輥直徑φ300 mm，長(zhǎng)度520 mm
線速最大18m/s
工作臺(tái)快速返回速度 0~500mm/min
工作臺(tái)切割速度 0~9mm/min

1、整機(jī)系統(tǒng)集成技術(shù)及多線切割設(shè)備產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)、制造、工藝等關(guān)鍵技術(shù)；
2、水冷卻,氣密封精密主軸的設(shè)計(jì)制造技術(shù)；
3、精密主輥的設(shè)計(jì)制造技術(shù)；
4、雙工作臺(tái)低速進(jìn)給變速切割控制技術(shù)；
5、線張力自動(dòng)控制技術(shù)；　
6、砂漿恒溫控制技術(shù)；
7、整機(jī)及單元智能控制技術(shù)；
8、液壓自動(dòng)卸線技術(shù)；                                                                              9、斷電斷線檢測(cè)及保護(hù)技術(shù)。

12.2.4

多晶槽式制絨設(shè)備

I

可處理硅片尺寸：125mm×125mm                       156mm×156mm
可處理硅片厚度：≥150μm
制絨工藝溫度：4—12℃±0.5℃
設(shè)計(jì)產(chǎn)能：6000片/小時(shí)（四通道）    3000片/小時(shí)（雙通道）

1、批量多晶硅電池片在酸腐蝕環(huán)境下的精確溫度控制技術(shù)；
2、分步式制絨概念的物化設(shè)計(jì)；
3、制絨液溫度、濃度與生產(chǎn)批次的關(guān)系研究；
4、“設(shè)備+工藝”模式的規(guī)?；瘧?yīng)用技術(shù)。

12.2.5

全自動(dòng)擴(kuò)散爐

I

可處理硅片尺寸：125X125mm，156X156mm；裝片量：400~500片/管；設(shè)備管數(shù)：1~5管；

單機(jī)自動(dòng)化技術(shù)

高方阻工藝等。

12.2.6

自動(dòng)管式PECVD

I

可處理硅片尺寸：

    125X125mm，156X156mm；

裝片量：

    252片、280片/125X125mm/管；

    216片、240片/156X156mm/管；

設(shè)備管數(shù)：1~4管；

單機(jī)自動(dòng)化技術(shù)

12.3

發(fā)光二極管設(shè)備（LED）

12.3.1

藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)爐

I

1、投料量：150kg；

2、晶體生長(zhǎng)方法：泡生法；

3、轉(zhuǎn)速：0.1~20mm/min；

4、提升：0.1~10mm/min；

5、加熱方式：電阻加熱器。

1、大尺寸及大投料量藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)技術(shù)；

2、有利于大尺寸晶體生長(zhǎng)的熱場(chǎng)分布技術(shù)；

3、晶體生長(zhǎng)控制系統(tǒng)的全自動(dòng)化技術(shù)；

4、超低含量鈦雜質(zhì)的藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)技術(shù)。

12.3.2

金剛石多線切割機(jī)

I

1、  工作臺(tái)尺寸：150mm

      L100mm(寬)100mm(高)              2、金剛線進(jìn)給速度：

      最大    60mm/min

      最小  0.03mm/min                            3、最大容線量：45km                              4、最大線速：600m/min                            5、最大搖擺角度：6o   

1、金剛石線張力控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)；

2、金剛石線在線軸上的排線控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)；

3、槽輪向下進(jìn)給速度的精確控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)；

4、槽輪搖擺速度的精確控制技術(shù)；

5、“金剛石線”制造技術(shù)。

12.3.3

高亮度發(fā)光二極管有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)（MOCVD）

I

容量>50片/爐 (2英寸)

GaN膜厚均勻性<5%

GaN生長(zhǎng)速率>2微米/小時(shí)

InGaN中In組分均勻性<1%

1、中溫到高溫范圍溫度均勻性控制技術(shù)；

2、氣體組分均勻性控制技術(shù)；

3、復(fù)雜反應(yīng)腔整體可靠性、重復(fù)性控制技術(shù)。

12.3.4

LED自動(dòng)劃片機(jī)

I

50-150mm，步進(jìn)精度優(yōu)于0.003mm

智能控制技術(shù)

12.3.5

LED粘片機(jī)

I

粘片速度≥12000只/小時(shí)；

裝片精度≤±38μm。

高速高精度對(duì)準(zhǔn)技術(shù)

12.3.6

LED等離子刻蝕機(jī)

I

裝載容量>20片/爐（2英寸）

刻蝕速率GaN>120nm/分鐘

藍(lán)寶石>60nm/分鐘

刻蝕均勻性<5%

藍(lán)寶石襯底刻蝕速度及均勻性控制技術(shù)

12.4

TFT-LCD設(shè)備

I

12.4.1

液晶顯示用玻璃基板成套生產(chǎn)設(shè)備

I

可用于生產(chǎn)6代及以上的玻璃基板，基板尺寸1500×1850mm以上

12.4.2

CELL摩擦機(jī)

I

適合6代及以上生產(chǎn)線，基板尺寸1500×1850mm

高可靠性和運(yùn)轉(zhuǎn)穩(wěn)定性技術(shù)研究

12.4.3

Panel貼片機(jī)

I

適合6代及以上生產(chǎn)線，貼附精度：±0.05mm

CCD對(duì)位識(shí)別系統(tǒng)，設(shè)備工作的高可靠性和運(yùn)轉(zhuǎn)穩(wěn)定性技術(shù)

12.4.4

LCM成套生產(chǎn)設(shè)備

I

適合6代及以上生產(chǎn)線，基板尺寸1500×1850mm

高可靠性和運(yùn)轉(zhuǎn)穩(wěn)定性技術(shù)