用于芯片間光互連的新型光電探測器——斜面受光探測器
光互連是解決芯片間高速互連的有效途徑，但是制約芯片間光互連廣泛應用的主要因素之一是技術成本太高。中國科學院微電子研究所的李志華博士、申華軍博士、李寶霞博士、楊成樾工程師和萬里兮研究員在《2008科學發展報告》中發表了一篇題為“用于芯片間光互連的新型光電探測器——斜面受光探測器”的文章。
文章介紹到，為了簡化光互連結構，降低成本，促進芯片間光互連的實用化，中國科學院微電子研究所萬里兮研究員領導的研究組與美國喬治亞理工學院合作研制了一種新型的光電探測器——斜面受光探測器(edge-view photodetector, EVPD)。EVPD的受光面設計在一個臺階結構的斜面上，從平面光波導傳輸的光可直接與EVPD受光面進行耦合，而無需像傳統的光學耦合那樣轉折90o。所以，EVPD與波導的耦合可省去反射鏡和微透鏡的使用，也就免去了相應的高成本的光學對準工序。EVPD原型的推出無疑對簡化芯片間光互連、降低成本具有重要意義。
文章展望了此領域的發展前景，首個EVPD的性能尚不能滿足高性能光互連的要求，如《光電子譜》（Photonics Spectra）雜志中介紹：需要對材料的外延生長和器件工藝進行優化來提高EVPD的性能。目前中國科學院微電子研究所正在針對EVPD投入資源進行研究，EEL-光波導-EVPD的光互連結構十分簡單，成本也將大大低于現有的芯片間光互連系統，研究人員希望三至五年內實現這一光互連方案。（摘自中國科學院“科學發展報告”課題組撰寫的《2008科學發展報告》）
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