世界科學技術發(fā)展到今天，從機械革命、信息革命到生命科學革命，其初期每一個科學規(guī)律的發(fā)現(xiàn)都是出自由好奇心驅動的、從事自由探索的科學研究；而不是由任務帶學科——就像?1958?年“大躍進”那樣。當今世界上的科學技術強國都是逐漸積累，特別是?17—18?世紀以來，不斷涌現(xiàn)的科學研究成果奠定了基礎研究的基礎，才有今天的高科技成果。

由于歷史的原因，中國的科學研究落后于世界先進國家。但新中國成立后，在中國共產(chǎn)黨領導下，中國的科學研究事業(yè)取得了突飛猛進的進步。特別是中科院，在改革開放以前承擔著中國科技發(fā)展的主要責任。“兩彈一星”研制、抗生素、發(fā)展鉀肥工業(yè)、合成順丁橡膠、馴化四大家魚等，解決了許多國家急需的困難和問題。但是追根溯源，中科院為什么能解決這些問題，就是因為有堅實的基礎。“兩彈一星”就是因為有“兩彈一星”功臣那樣的、從海外歸國、基礎扎實的科學家。抗生素、化肥、合成橡膠、馴化四大家魚，包括人工合成牛胰島素等，哪一項都需要扎實的基礎研究功底。

改革開放以后，中科院在許多方面仍然走在了全國高校、科研機構的前列，如量子科學（包括量子通信、量子計算）以及生命科學中的一些重大研究成果等，其原因就是在“文革”中，中科院的科研環(huán)境、科研隊伍基本保持穩(wěn)定——在那十多年里，不管外面多么亂，中科院可以說是一個世外桃源。廣大科研人員潛心研究，積累了許多科研成果和經(jīng)驗，使得中科院的學術水平與國際上的差距并沒有外界想象的那么大。正因為有這些基礎研究的積累，中科院才能在那種特殊時期，在與國際科學界基本隔絕的條件下，自力更生地取得了舉世矚目的成就。如果沒有這些堅實的基礎研究的積累，光靠下達國家任務，是不能取得這些成果的。

基礎研究是創(chuàng)新的根源和土壤，基礎越深厚，越能產(chǎn)生原始創(chuàng)新的成果，在技術上引發(fā)一場新的革命。歷史上的例子很多，如晶體管、集成電路的發(fā)明引發(fā)了計算上的革命，半導體激光器、光纖的發(fā)明引發(fā)了通信上的革命等。相反地，如果基礎研究的積累不夠，那只能在外國人的基礎上修修補補，做些小的而不是根本性的創(chuàng)新工作。我們國家近幾年科技進步很快，但原始創(chuàng)新的工作不多，原因就在于此。所以中科院作為國家科學院，今后長期的奮斗目標之一就是要夯實基礎研究工作，包括由好奇心驅動的、自由探索的科學研究，這樣才能使中科院立于不敗之地，立于世界科學之林。

基礎研究與國家任務是不矛盾的，是相互促進的。只有基礎研究搞得好，才有本錢更好地完成國家任務。完成國家任務的同時，又能對基礎研究提出新的課題，發(fā)現(xiàn)新的現(xiàn)象等。

國務院最近發(fā)布了《關于全面加強基礎科學研究的若干意見》，這表明中央認識到基礎研究是一個國家的創(chuàng)新之源。不搞基礎研究，而談趕上、超過國際先進水平，那是無稽之談。基礎研究是中科院幾十年，包括新中國成立前的原中央研究院、北平研究院，經(jīng)過好幾代科學家的努力積累下來的寶貴財富，這是中國科學院的鎮(zhèn)院之寶，我們一定要發(fā)揚光大這個優(yōu)良的傳統(tǒng)，為發(fā)展我國科學事業(yè)、技術進步、促進國民經(jīng)濟社會發(fā)展作出更大的貢獻。

最后以中科院半導體所為例，說明以上觀點。半導體所是一個研制半導體光電器件的應用基礎研究所。從新中國成立后開始，雖然受到西方國家的封鎖，但在老一代的科學家林蘭英、王守武、王守覺等先生的帶領下，在科研人員的努力下，在半導體材料、器件方面做出了出色的工作。例如為東方紅衛(wèi)星等提供了晶體管、計算機等急需的元器件和設備等，為完成國家任務作出了貢獻。

打倒“四人幫”以后，鄧小平同志派黃昆院士出任半導體所所長，成立了超晶格國家重點實驗室，加強了半導體所基礎研究的力量。在這基礎上，材料室孔梅影研究員與中科院物理所合作，成功研制中國首臺分子束外延設備，生長出了品質優(yōu)良的異質結、超晶格材料。緊接著光電器件研究室的王啟明研究員、王圩研究員、陳良惠研究員等成功研制出了各種半導體異質結激光器，大大縮小了與國際的差距。他們?3?位都因此當選為院士。

2017?年半導體所獲得了?4?項國家二等獎，其中?1?項自然科學獎、2?項發(fā)明獎、1?項進步獎。4?項中有?2?位第一獲獎人是中科院物理所的博士。他們能得獎有多種原因，但其中一個主要原因是物理基礎好。有了好的基礎和好的想法，結合半導體所現(xiàn)有的良好工藝條件，很快就做出了先進的成果，得到評獎委員會專家們的公認。

值此“科學的春天”40?周年之際，讓我們緬懷老一輩的科學家，寄希望于年輕一代的科學家，為中科院的繁榮發(fā)展、為完成新時期建設創(chuàng)新型國家進而建成世界科技強國作出更大的貢獻。

 （作者：夏建白   中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員，第十屆全國政協(xié)委員。半導體物理學家。1962年畢業(yè)于北京大學物理系，1965年師從黃昆于北京大學攻讀碩士研究生，畢業(yè)后留校任助教，1970年在西南物理研究院從事等離子體物理研究，1978年起中國科學院半導體研究所工作。長期從事半導體和半導體超晶格、微結構理論研究。1989年“超晶格電子態(tài)理論”獲中國科學院自然科學獎一等獎；1993年“半導體超晶格的電子態(tài)和聲子模理論”獲國家自然科學獎二等獎；1998年“半導體微結構的電子態(tài)和有關的物理性質”獲中國科學院自然科學獎一等獎；2004年“半導體納米結構物理性質的理論研究”獲國家自然科學獎二等獎；2005年獲何梁何利科學與技術進步獎。主要著作有《半導體超晶格物理》《現(xiàn)代半導體物理》《半導體自旋電子學》（中、英文）、Quantum Waveguide in Microcircuits等。其中《半導體超晶格物理》獲得1997年國家圖書獎提名獎、全國優(yōu)秀科技圖書獎一等獎；《現(xiàn)代半導體物理》獲得2001年全國優(yōu)秀科技圖書獎三等獎。《中國科學院院刊》供稿）